企业简介
中科院半导体所是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的半导体科学技术的综合性研究所，正式成立于1960年。半导体所拥有两个研究中心——光电子工艺中心、光电子器件工程研究中心；三个重点实验室——半导体超晶格重点实验室、集成光电子联合实验室、表面物理重点实验室（半导体所区）；一个院级的半导体材料科学开放实验室；目前正在筹建纳米加工技术中心。此外，还设有光电子研究发展中心、半导体材料研究发展中心、半导体人工神经网络和高速数模混合集成电路实验室、微电子研究与发展中
中国科学院半导体研究所的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 7987408 |  |
COMCHIP | 2010-01-12 | 集成电路；集成电路块；放大器；半导体器件；理化试验和成分分析用仪器和量器；科学用探测器；电子芯片；探测器；精密测量仪器；测量仪器 | 查看详情 |
| 2 | 5741960 |  |
中国科学院半导体研究所;INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS CAS | 2006-11-23 | 技术项目研究；科研项目研究；研究与开发(替他人)；质量控制；材料测试；物理研究；计算机编程；计算机软件设计；计算机系统设计；计算机程序和数据的数据转换(非有形转换) | 查看详情 |
| 3 | 7831823 |  |
康芯 COMCHIP CM | 2009-11-13 | 理化试验和成份分析用仪器和量器；科学用探测器；探测器；精密测量仪器；测量仪器 | 查看详情 |
| 4 | 7987409 |  |
CM | 2010-01-12 | 科学用探测器 | 查看详情 |
| 5 | 7987410 |  |
康芯 | 2010-01-12 | 集成电路；集成电路块；放大器；半导体器件；理化试验和成分分析用仪器和量器；科学用探测器；电子芯片 | 查看详情 |
中国科学院半导体研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN87203805U | 密闭容器上的插取机构 | 1987.12.30 | 为了使密闭容器在进行插入或取出物体的操作中能够避免大量气体外逸或涌入，设计了一种连接在密闭容器上的插 |
| 2 | CN106067651A | 基于分布布拉格反射激光器的啁啾微波产生装置 | 2016.11.02 | 一种基于分布布拉格反射激光器的啁啾微波产生装置包括任意波形发生器，用于提供随时间变化的电信号；分布布 |
| 3 | CN106252421A | 高速量子级联红外探测器及其制作方法 | 2016.12.21 | 一种高速量子级联红外探测器的制作方法，其中所述高速量子级联红外探测器，包括：一衬底，该衬底为矩形，其 |
| 4 | CN105978559A | 宽带线性调频微波信号发生器 | 2016.09.28 | 本发明提供了一种宽带线性调频微波信号发生器。其中，压控振荡器产生线性调频信号；其被功分器分为三路，其 |
| 5 | CN105979565A | 基于动态路由机制的无线传感器网络及其拓扑控制方法 | 2016.09.28 | 本发明提供了一种基于动态路由机制的无线传感器网络和基于动态路由机制的无线传感器网络拓扑控制方法。其中 |
| 6 | CN106067657A | 一种N×1反向合束耦合装置及耦合系统 | 2016.11.02 | 一种N×1反向合束耦合装置及耦合系统，该N×1反向合束耦合装置包括：N支低数值孔径光纤、高数值孔径光 |
| 7 | CN104465856B | 无线能量传输发光系统及其芯片级发光装置的制备方法 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种无线能量传输发光系统，该系统包括：无线能量发送装置和无线能量接收及发光装置，其中：无 |
| 8 | CN106199856A | 单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法 | 2016.12.07 | 一种单光子源器件光纤阵列耦合输出装置、耦合系统及方法，该单光子源器件光纤阵列耦合输出装置包括：单光子 |
| 9 | CN2707774Y | 真空镀膜机加热装置 | 2005.07.06 | 本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热 |
| 10 | CN101261281A | 基于超短腔光纤激光器的光纤加速度传感器 | 2008.09.10 | 本发明一种基于超短腔光纤激光器的光纤加速度传感器，其特征在于，包括：一等强度悬臂梁，该等强度悬臂梁为 |
| 11 | CN1786687A | 一种光瞬态自动测试系统 | 2006.06.14 | 本发明涉及半导体测试领域，特别是一种光瞬态自动测试系统。包括：光注入装置；光注入装置；样品室装置；信 |
| 12 | CN1881626A | 光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 | 2006.12.20 | 一种光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法，包括如下步骤：首先在GaN样品上表面生长一层二氧化硅 |
| 13 | CN1207794C | 周期性波导结构半导体光电探测器及制作方法 | 2005.06.22 | 一种具有周期性波导结构的光电探测器，它包括有：导波区，该导波区可对入射光进行吸收和传播，在导波区上制 |
| 14 | CN101056048A | 一种幅度调制隔离反馈控制电路 | 2007.10.17 | 本发明涉及隔离反馈电路技术领域，一种幅度调制隔离反馈控制电路。通过幅度调制实现隔离反馈，采用模拟乘法 |
| 15 | CN101025458A | 利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 | 2007.08.29 | 一种利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在衬底上光 |
| 16 | CN100418199C | 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 | 2008.09.10 | 一种铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先在蓝宝石(000 |
| 17 | CN100466404C | 砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法 | 2009.03.04 | 一种砷化镓/砷化铝分布布拉格反射镜的湿法腐蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在衬底上，使用分子 |
| 18 | CN100449305C | 一种光瞬态自动测试系统 | 2009.01.07 | 本发明涉及半导体测试领域领域，特别是一种光瞬态自动测试系统。包括：光注入装置；光注入装置；样品室装置 |
| 19 | CN100589012C | 量子点光调制器有源区结构 | 2010.02.10 | 一种量子点光调制器有源区结构，包括：一n型衬底；一n型缓冲层生长于n型衬底之上，该n型缓冲层的生长可 |
| 20 | CN105789393A | 高发光效率LED外延片及其制备方法 | 2016.07.20 | 一种高发光效率LED外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂Ga |
| 21 | CN1207598C | 半导体激光器蝶形封装器件 | 2005.06.22 | 本发明提供一种半导体激光器蝶形封装器件，该器件包括：一蝶形管壳；一半导体致冷器烧焊在蝶形管壳里面；一 |
| 22 | CN1905297A | 用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法 | 2007.01.31 | 一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，包括如下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上采 |
| 23 | CN104050740B | 一种光电钥匙门锁装置 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种光电钥匙门锁装置，该装置包括发光钥匙和光电门锁，其中发光钥匙发出含有密钥的光信号，光 |
| 24 | CN1881848A | 光通道性能在线监测模块 | 2006.12.20 | 一种光通道性能在线监测模块，包括：一输入光纤，该光纤为标准单膜光纤；一底座，该底座为矩形的板状；一准 |
| 25 | CN101038866A | 宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法 | 2007.09.19 | 一种宽光谱砷化铟/砷化铝镓量子点材料生长方法，所述材料生长方法是基于分子束外延设备的掩埋自组织量子点 |
| 26 | CN101355119A | 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 | 2009.01.28 | 一种采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法，包括：在衬底上依次外延生长N型接触层、有源区和P型 |
| 27 | CN1787233A | 集成太阳电池的制备方法 | 2006.06.14 | 一种集成太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：利 |
| 28 | CN101055337A | 一种光路折叠式波导光开关阵列及其方法 | 2007.10.17 | 本发明涉及信息光电子技术领域，一种光路折叠式波导光开关阵列及其方法。包括：各级2×2光开关单元；各级 |
| 29 | CN101056047A | 一种功率MOSFET驱动电路 | 2007.10.17 | 本发明涉及驱动电路技术领域，一种功率MOSFET驱动电路。包括迟滞比较器、开关驱动级、过流保护电路模 |
| 30 | CN101145672A | 微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法 | 2008.03.19 | 一种微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一普通垂直腔面发射激光器，该激光器包 |
| 31 | CN2249757Y | 一种高频感应加热化学反应腔装置 | 1997.03.19 | 一种高频感应加热的化学反应腔装置，具有由内外套设的外层套管和内反应管，一加热载体设置于内反应管的管内 |
| 32 | CN105807377A | 光纤耦合慢轴夹具装置 | 2016.07.27 | 本发明提供一种光纤耦合慢轴夹具装置，包括：两支架，该两支架概似Y形；一底板，该底板为矩形，其上开有一 |
| 33 | CN1209793C | 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法 | 2005.07.06 | 本发明提出了一种氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法，先在衬底蓝宝石(0001)或硅(111)或 |
| 34 | CN101388346A | 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 | 2009.03.18 | 一种在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用化学清洗方法将Si衬底表 |
| 35 | CN104332134B | 一种LED显示模组系统 | 2016.08.10 | 本发明公开了一种LED显示模组系统，其包括；驱动模块，其用于驱动光源模块；光源模块，其包括中介层和固 |
| 36 | CN105701521A | 无线射频识别温度标签的监测装置、系统及方法 | 2016.06.22 | 一种无线射频识别温度标签的监测装置，包括：读写器，所述读写器与至少一个包含有温度传感器的温度标签通过 |
| 37 | CN1538498A | 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 | 2004.10.20 | 一种硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法，包括如下步骤：在硅衬底上生长缓冲层和一层三族氮化物；在已生 |
| 38 | CN100470863C | P型氮化镓电极的制备方法 | 2009.03.18 | 一种P型氮化镓电极的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上外延Mg掺杂P型氮化镓基体；在Mg掺杂P- |
| 39 | CN105789366A | 一种硅基混合集成雪崩光电探测器 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种硅基混合集成雪崩光电探测器(APD)，包括自下而上叠置的SOI(silicon‑on |
| 40 | CN105954012A | 基于arm9嵌入式平台的激光器线宽测量仪 | 2016.09.21 | 一种基于arm9嵌入式平台的线宽测量仪，包括：一第一光纤耦合器；一光纤延时线，其输入端与光纤耦合器的 |
| 41 | CN105790937A | 一种多波段信道编码开关控制装置及控制方法 | 2016.07.20 | 一种多波段信道编码开关控制装置，包括发射部分和接收部分，发射部分包括：第一控制器，用于存储密钥，以及 |
| 42 | CN101654773A | 金属有机物化学气相沉积装置 | 2010.02.24 | 一种金属有机物化学气相沉积装置，其特征在于，包括：一反应室，该反应室用于同时生长氮化物和氧化锌的半导 |
| 43 | CN101645576A | 掺Yb双包层光纤激光器v形槽侧面粘和泵浦方法 | 2010.02.10 | 一种掺Yb双包层光纤激光器v形槽侧面粘和泵浦方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在双包层光纤的内 |
| 44 | CN101458369A | 单片集成Y波导连接的两激光器光电子器件 | 2009.06.17 | 本发明一种单片集成Y波导连接的两激光器光电子器件，其特征在于，其中包括：两激光器，为平行的波长相近的 |
| 45 | CN105717467A | 铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统及方法 | 2016.06.29 | 一种铁磁半导体平面内磁各向异性的光电流测试系统，包括钛蓝宝石激光器、斩波器、起偏器、光弹性调制器、光 |
| 46 | CN104352234B | 一种生理电信号尖峰奇异点检测方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种生理电信号尖峰奇异点检测方法。所述方法包括：采样得到生理电信号序列；对采样得到的生理 |
| 47 | CN103646986B | 一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n‑i‑p‑i |
| 48 | CN105678744A | 距离选通自主成像自适应MCP增益调节方法 | 2016.06.15 | 一种距离选通自主成像自适应MCP增益调节的方法，该方法首先对图像进行灰度标定，获取低灰度阈值G<su |
| 49 | CN101330002A | 用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 | 2008.12.24 | 一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀 |
| 50 | CN101588017A | 一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器 | 2009.11.25 | 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开了一种单模大功率低发散角的光子晶体垂直腔面发射激光器，该光子 |
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